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單晶釔鐵石榴石YIG薄膜

簡要(yao)描(miao)述:單晶釔鐵石(shi)(shi)榴(liu)石(shi)(shi)YIG薄膜由于(yu)其微波(bo)損耗(hao)非常低,釔鐵石(shi)(shi)榴(liu)石(shi)(shi) (YIG) 和摻雜 YIG 等單晶鐵磁(ci)材料被用(yong)于(yu)微波(bo)技術中的器件。

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  • 廠商性質(zhi):代理商
  • 更新時間:2024-02-21
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單晶釔鐵石榴石YIG薄膜

Matesy是高品質單(dan)晶釔鐵石榴石(YIG)薄膜的市(shi)場頭(tou)部(bu)推動者

YIG薄膜產品描述

昊量光電全新推出的單晶釔鐵石榴石YIG薄膜由于其微波損耗非(fei)常低,釔鐵石榴石 (YIG) 和摻雜 YIG 等單晶鐵磁材料被用于微波(bo)技術中的器件。


YIG薄膜設計(ji)與功能(neng):

通過液相外延將低缺陷YIG薄膜沉積在單晶釓鎵石榴石(GGG)上。功能晶圓的尺寸可達三英寸,可以用作基板或用于磁力和自旋電子器件的圖案化。


YIG薄膜技術(shu)規(gui)格:

YIG 晶圓 – 3 英(ying)寸

  • GGG襯底上的YIG:外(wai)延生長的單(dan)晶YIG

  • 提(ti)供不同厚度:100 nm-20 μm(參見庫存清單,<可根據要(yao)求提(ti)供 100 nm)

  • 表面(mian)粗(cu)糙(cao)度 (RMS): 0.5 nm

  • FMR 線寬 (FWHM):10 GHz 時< 2 Oe

  • 厚度偏差(cha)(80%,中心(xin)):1%

  • 單面光學拋光(可根據要求在雙面進行涂層)

  • GGG基(ji)板厚度(du):0.5 ± 0.05 mm

  • 晶體取(qu)向:(111)、((100)根據要求(qiu))


YIG薄膜產品亮點:

  • 具(ju)有極低(di)(di)表面粗糙度的低(di)(di)缺陷薄(bo)膜(mo)

  • 膜(mo)厚均勻性高(中心區域>99%)

  • 在市場范圍(wei)內(nei)使用(yong)我們的材料進(jin)行前沿研究


YIG薄膜優(you)勢:

LPE技(ji)術與其(qi)他涂層工藝的比較:

  • 實(shi)現 100 nm 至(zhi) 20 μm 的(de)薄膜(mo)(mo)厚(hou)度,同(tong)時在整個(ge)薄膜(mo)(mo)厚(hou)度上保持(chi)高水平的(de)結構

  • 可以形(xing)成非常光滑的表面

  • 低應變薄膜


YIG薄膜(mo)應用領域:


由(you)于其非常(chang)低的微(wei)波損耗,單晶鐵磁材料,如釔鐵石(shi)榴石(shi) (YIG) 及其等價取代的同(tong)系物,用(yong)(yong)于微(wei)波技術中的器(qi)件(jian)。例如,外延(yan)YIG涂層可用(yong)(yong)于需要微(wei)米厚(hou)薄膜的電(dian)子(zi)可調延(yan)遲塊和移相器(qi)。其他應(ying)用(yong)(yong)包括集成非互易(yi)器(qi)件(jian),如磁光隔離器(qi)和環行器,以及用于(yu)集成光學器(qi)(qi)件的布拉格單元調制器(qi)(qi)。

目(mu)前,國際上正在努力(li)開發這些絕緣體薄膜,作為信息處理中具有微(wei)納米(mi)(mi)結(jie)構的自(zi)旋(xuan)波器件(YIG-磁力(li)學)的有前途的基(ji)礎材料,并通過合(he)適的界面將它們與電(dian)子或自(zi)旋(xuan)電(dian)子元件耦合(he)。這些組件的小型化需要亞微(wei)米(mi)(mi)范圍內(nei)的薄膜厚度。外延薄膜是使用液相外延 (LPE) 技術從高溫(wen)溶(rong)液(ye)中生產(chan)出來的。LPE涂層技術有助于生產(chan)微米和亞微米范圍的外延釔鐵石榴石層,并通過適當的替代物(wu)開發(fa)定制的功能層。



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