| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,綜合 |
半導體參數分析儀RTM2-霍爾(er)源測系統
昊量光電全新推出的半導體參數分析儀RTM2-霍爾源測系統。利用半導體參數(shu)分析儀RTM2的集成開關矩陣實現(xian)無限(xian)的精度和穩定(ding)性用于片狀、霍爾和電阻張(zhang)量(liang)的測(ce)量(liang)。
半導體參(can)數分析儀RTM2主(zhu)要(yao)功能：
半導體參數分析儀RTM2專為自動精密測量電阻和相關量而設計。半導體參數(shu)分析儀RTM2將直流(liu)和交(jiao)流測量與集成開關矩陣結合在一起。
半導體(ti)參數(shu)分析(xi)儀RTM2具(ju)有(you)鎖定放大器的低(di)噪(zao)、具(ju)有(you)萬用表 8 位以上的動態范圍和穩(wen)定性，可(ke)研究 ppb 級效應。nΩ研究變(bian)得簡單。
創新的連接器設計允許傳統的 BNC 操作與被動屏蔽或主動防護屏蔽。這將直流阻抗上限擴展到了 Tera-Ohm 范圍，并將交流帶寬提高了約兩個數量級，以測試MΩ器(qi)件。
半(ban)導體參數分(fen)析儀RTM2只需一臺設備就能自動記錄完整的電阻(zu)張量（Rx、Ry、RH），即使是在無圖案(an)的薄膜上。
半(ban)導體參數分析儀RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及傳感器、晶片和設備測試。在快速多路復用設置中進行交流測試的能力，可在現場生產過程中實現更嚴格的元件分選。
半(ban)導體參(can)數分析儀(yi)RTM2開(kai)關矩陣的優點：
萬(wan)用表或(huo)鎖相放大器等傳統(tong)精密設(she)(she)備(bei)(bei)依賴于與被(bei)測設(she)(she)備(bei)(bei)（DUT）靜(jing)態連接的(de)四(si)線電阻測量(liang)方(fang)法。這種方(fang)法不(bu)可避免地會受到來自被(bei)測設(she)(she)備(bei)(bei)和測量(liang)設(she)(she)備(bei)(bei)本身的(de)各種干(gan)擾影響。
惠(hui)斯通電(dian)橋或(huo)平版印刷霍爾(er)條圖案(an)等測(ce)量安(an)排可(ke)用于(yu)(yu)減少某些干擾的影響，但(dan)它們(men)都依賴于(yu)(yu)實際電(dian)阻(zu)器或(huo)蝕(shi)刻(ke)圖案(an)的精確和穩(wen)定(ding)的對稱性(xing)，這在(zai)實踐中是(shi)無法實現的。
相比之下，矩陣開關可以在時域中分離干擾的影響。其中一個例子是van-der-Pauw范德堡(bao)方法，它可以精確區分縱向和橫向電阻，即使是在沒有光刻圖案的不規則形狀樣品上也是如此。
另一個例子是某(mou)些直流儀(yi)(yi)表采用(yong)的 "自動歸零（auto-zeroing）"，以補償偏移漂移。但這(zhe)還不夠(gou)。半導(dao)體參數(shu)分析儀(yi)(yi)RTM2的全矩陣(zhen)切換功能及(ji)其與緊(jin)密多路交流測量的兼容性為我們帶(dai)來了無限可能。
可(ke)以對偏移(yi)和(he)增益漂移(yi)進(jin)行補償，從而實現(xian)無限(xian)的(de)穩定(ding)性。這里的(de) "無限(xian) "是(shi)字面意思(si)：可(ke)實現(xian)的(de)精度不是(shi) 7、8 或(huo) 10 位數，而是(shi)您愿意等待的(de)位數。在自己的(de)實驗室(shi)里進(jin)入(ru)計量圈子吧！
還可以對整個儀器的復合非線性進行補償。這樣就可以測試亞ppm 級的 I-V 非線性，從而在較低和較溫和的電流密度下看到更高階的傳輸物理。
半(ban)導體參(can)數(shu)分析儀(yi)RTM2突出亮點
基于集成開(kai)關(guan)矩陣的可重(zhong)構(gou)(gou)設備架構(gou)(gou)
8 個用戶自(zi)定義端口(kou)（BNC 連接器），功能（輸入、輸出和/或參(can)考(kao)）可自(zi)由確定
BNC 屏蔽可配置為(wei)無源(yuan)接地(di)或(huo)有源(yuan)屏蔽
使(shi)用(yong)固定連接(jie)（開爾(er)文或霍爾(er)幾何）進(jin)行傳統的交(jiao)流和直流 4 線測(ce)量
交(jiao)替連接的交(jiao)流和直流測量(liang)（電阻(zu)張量(liang)測量(liang)、范-德(de)-波(bo)測量(liang)或電阻(zu)率(lv)測量(liang)）
同時測量薄(bo)膜縱(zong)向(xiang)和橫向(xiang)電阻的精確絕對值，無(wu)需(xu)光(guang)刻圖案(an)
常(chang)用測量模式的(de)軟件預設，可任何用戶特(te)定的(de)切(qie)換(huan)序列(lie)
基(ji)于 TCP 的通信，可輕松集成到任何環(huan)境中(zhong)（如 Labview、C、Python）
半(ban)導體參數(shu)分析(xi)儀RTM2主要的優勢：
可(ke)替代所(suo)有用于電氣特性測(ce)量(liang)的標準(zhun)設備(例如鎖定放大器、SMU、DMM）
通過(guo)集成(cheng)的矩陣開關克(ke)服了靜態(tai) 4 點測(ce)量的局(ju)限性
提供范-德-波測量和(he)電阻張量測量的預設(she)值，并允(yun)許用戶(hu)進行(xing)全面配置
無需進行復雜的樣品制備（如平版(ban)印(yin)刷）。
可輕松(song)連接多種不同的測量裝(zhuang)置（如探針臺、低溫(wen)恒(heng)溫(wen)器、真空系統等）
節省測量時間，提高樣品吞吐量
半導體參數(shu)分析儀RTM2主(zhu)要的應用領(ling)域
材料研(yan)究與表征(zheng)
固體物理
半導體(ti)物理
磁性(xing)器件
柔性電子器件
自(zi)旋電子學(xue)
新(xin)型功能電(dian)子材料和器件
工業(ye)研發和晶片/設(she)備測試(shi)
微電子設(she)備(bei)
存(cun)儲器(qi)
晶體管(guan)、二極(ji)管(guan)
LED/OLED
太陽能電池
顯示器、TCO
傳感器
半導(dao)體參(can)數分析儀RTM2典型測(ce)試(shi)示例：
在(zai)標(biao)準幾何結構（開爾(er)文和(he)霍爾(er)布局(ju)）中進行(xing)超低噪聲、高(gao)穩定性交流(liu)和(he)直流(liu) 4 線測量
對(dui)不規則、無結構(gou)薄膜樣品(pin)進行范德保開關連接 4 線測量
基(ji)礎物理學和計量(liang)學中的亞ppm 相對變化和非(fei)線性測量(liang)
零(ling)偏移霍爾 4 線(xian)測量(liang)（即使是非結構化樣品，也(ye)能準確(que)分離(li)縱向(xiang)電阻(zu)和橫(heng)向(xiang)電阻(zu)）
比率電阻測(ce)量，消除樣品和設備漂(piao)移
高(gao)驅(qu)動諧波失(shi)真測量
脈沖(chong)和測量(liang)例程(cheng)
半導體參(can)數(shu)分析(xi)儀RTM2規格參(can)數(shu)：
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