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高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

簡要(yao)描述:高精度變溫(wen)霍(huo)爾(er)效應測試儀(yi)(70-730K)利用(yong)范德堡測量(liang)技術對半導體材(cai)料的電阻(zu)率、載(zai)流(liu)子濃度、磁致電阻(zu)率、霍(huo)爾(er)系(xi)數(shu)、電子遷移率等進(jin)行測量(liang),用(yong)來(lai)表征和了解材(cai)料的物(wu)理性質(zhi)。

  • 產品型(xing)號:
  • 廠商性(xing)質:代理商
  • 更(geng)新時間(jian):2021-06-02
  • 訪(fang)  問(wen)  量:2810
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高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

變溫霍爾效(xiao)應(ying)測(ce)量儀是利用(yong)范德堡測(ce)量技(ji)術(shu)對半(ban)導體材料的(de)電(dian)阻率(lv)、載流子(zi)濃度、磁致電(dian)阻率(lv)、霍爾(er)(er)系(xi)數、電(dian)子(zi)遷移(yi)率(lv)等進行測(ce)量(liang)(liang)(liang),用來(lai)表征(zheng)和了解材(cai)料的物理性質。昊量(liang)(liang)(liang)光電(dian)的寬帶變(bian)溫霍爾(er)(er)效應(ying)測(ce)量(liang)(liang)(liang)儀主(zhu)要(yao)可包括霍爾(er)(er)效應(ying)測(ce)量(liang)(liang)(liang)、變(bian)溫恒溫器、外(wai)加磁場三部(bu)分。

高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

變溫霍爾(er)效應測量儀利用不同范德堡方法可以在不同溫度下對材料的電(dian)阻率(lv)、載流子(zi)濃度、磁致電(dian)阻率(lv)、霍(huo)爾(er)系數、電(dian)子(zi)遷移率(lv)進行(xing)測(ce)量。該(gai)設備(bei)采用焦耳-湯姆遜(xun)平臺可以為(wei)樣品(pin)提供70-730K廣泛的(de)變溫(wen)(wen)范圍,利用溫(wen)(wen)度控制器使展現(xian)的(de)溫(wen)(wen)度穩(wen)定性和重復性,控溫(wen)(wen)精度可(ke)達到±0.1K,分辨率可達(da)到0.01K,并(bing)對(dui)溫度(du)變(bian)化有極快的響應(ying)速度(du)。采用zui大可提供1.4T的電磁鐵施加(jia)外磁場,并可根據需(xu)要選配不同的電磁鐵。配備霍爾(er)測量控制器,樣品電流范(fan)圍為10-12-0.01 A,樣品電壓可達到10-6-2.4V。采用靈活的(de)模(mo)塊(kuai)化設(she)計,可以(yi)根據需(xu)要(yao)實驗和經費需(xu)要(yao)組建理想的(de)系統(tong)。

 

 

變(bian)溫霍爾(er)效應(ying)測量(liang)(liang)系(xi)統、霍爾(er)效應(ying)測量(liang)(liang)儀,寬(kuan)溫霍爾(er)效應(ying)測量(liang)(liang)儀,寬(kuan)帶變(bian)溫霍爾(er)效應(ying)測量(liang)(liang),高精(jing)度霍爾(er)效應(ying)測量(liang)(liang)儀

 

昊量光(guang)電推出的(de)變溫霍爾測(ce)量系統采(cai)用*的(de)焦耳-湯姆遜平臺(tai)對樣品進(jin)行高(gao)低(di)溫處理(li),無需液體冷凍劑處理(li)。當真空(kong)腔至少保持在(zai)8 mTorr時,可(ke)以提供以下溫度范圍,室溫,70K-580K,80K-580K,70K-730K,80K-730K,室(shi)溫(wen)-730K,六(liu)種(zhong)不同的溫度區間。配備AUK2000溫度(du)控制器,可提供精(jing)確(que)的(de)溫度(du)控制與測(ce)量(liang)并(bing)且擁(yong)有*的(de)穩定性和重復性。該系統(tong)控溫精(jing)度(du)可達到±0.1K,分辨率(lv)可達到±0.01K,對溫度的響應速度可達(da)到1K/s

 

 

霍爾效應測(ce)量(liang)儀采(cai)用(yong)范德堡方法對霍爾效應和(he)電阻率進行測(ce)量(liang),四個(ge)探(tan)針連(lian)接樣(yang)(yang)品(pin)(pin),其中兩個(ge)輸入電流,其余兩個(ge)測(ce)量(liang)電壓(ya)。為了方便快速的切換樣(yang)(yang)品(pin)(pin),與樣(yang)(yang)品(pin)(pin)表面接觸(chu)有彈簧(huang)探(tan)針和(he)利(li)用(yong)聚酰亞胺焊接兩種方法。彈(dan)簧探針可以使待(dai)測樣品與探針直接接觸,無需粘(zhan)貼或焊接,這有效的避免了樣品在(zai)高溫下測試時(shi)焊點(dian)融化的問(wen)題。而且在(zai)換樣品時(shi)更加快速方便。聚酰亞(ya)胺焊接法。當樣(yang)品尺寸非常小(xiao),或者(zhe)有(you)特殊(shu)幾何要求的樣(yang)品時采用該方(fang)法,此(ci)外利用彈簧探針無法達到優質的歐(ou)姆連(lian)接時也(ye)采用這種辦法。霍爾傳感器在(zai)真空腔中處在(zai)樣(yang)品的下(xia)方(fang),可以對樣(yang)品所(suo)處磁場的大(da)小(xiao)進(jin)行精確(que)的測量。

 

 

寬帶變(bian)溫霍(huo)爾效(xiao)應測(ce)量儀采用電磁體(ti)或永磁鐵提供(gong)外加磁場(chang)。并有三種不同的電磁體(ti)可(ke)供(gong)選擇(ze)。電磁體(ti)可(ke)通過軟件和(he)霍(huo)爾控(kong)制(zhi)器(qi)進行控(kong)制(zhi)。AU-M-25是一個緊湊的低(di)成本的永磁體,該電磁體既不(bu)需要(yao)水冷(leng)也不(bu)需要(yao)風冷(leng)。該磁體可以(yi)提供5000高斯的(de)單向(xiang)外加(jia)磁(ci)場,霍爾恒溫器在兩(liang)片(pian)電磁(ci)鐵之間,如(ru)果(guo)需(xu)要反(fan)向(xiang)磁(ci)場可(ke)以把恒溫器反(fan)向(xiang)插入即可(ke)。②AU-MK-50是雙極電(dian)磁(ci)(ci)體,可提(ti)供(gong)變化的外(wai)(wai)加磁(ci)(ci)場(chang)(chang),zui高(gao)可達5000高(gao)斯,并可提(ti)供(gong)反向磁(ci)(ci)場(chang)(chang)和0磁(ci)(ci)場(chang)(chang)。此外(wai)(wai)兩電(dian)磁(ci)(ci)鐵之間(jian)的間(jian)距可以調(diao)節(jie)。該電(dian)磁(ci)(ci)鐵采(cai)用(yong)風冷,但(dan)有水(shui)冷端口如果長時(shi)間(jian)使用(yong)可采(cai)用(yong)水(shui)冷。③AU-M-150電(dian)磁(ci)(ci)鐵可提(ti)供(gong)變化的外(wai)(wai)加磁(ci)(ci)場(chang)(chang),zui高(gao)可高(gao)達14000高(gao)斯,可自由轉換磁(ci)(ci)場(chang)(chang)反向,對于高(gao)磁(ci)(ci)場(chang)(chang)和長時(shi)間(jian)的使用(yong),應(ying)利用(yong)水(shui)冷使電(dian)磁(ci)(ci)體降(jiang)溫(wen)。

 

 

寬(kuan)帶變溫霍(huo)爾效(xiao)應測(ce)量(liang)儀采(cai)用四(si)點范德(de)堡的(de)方(fang)法(fa)測(ce)量(liang),并通(tong)過霍(huo)爾測(ce)量(liang)控(kong)制(zhi)器AUH5000來實現,AUH5000控(kong)制器(qi)是一個一體化的設備,既可(ke)以提供電流(liu)/電(dian)壓源、電(dian)流/電壓(ya)探測、磁場的測量(liang)和(he)控(kong)制。該(gai)控(kong)制器可以通過USB或者RS-232與電(dian)腦連接通過軟件進行上述操作(zuo)。通過軟件可以完(wan)成溫度控制、霍爾測量等(deng)。

 

 

 

u  主(zhu)要特點

  • 寬的操(cao)作溫度(70-730K
  • 的溫度穩定性和重復(fu)性(±0.1K
  • 高外加(jia)磁場(chang)(1.4T
  • 靈活(huo)配(pei)置的模塊設計,可以根(gen)據經費和(he)實驗(yan)需(xu)求組建系統
  • 低運行成本
  • 無(wu)機械(xie)、聲(sheng)學(xue)和電(dian)子(zi)噪聲(sheng)

 

u  主要應(ying)用

半(ban)導(dao)體材料(liao)(liao)(比如說Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe)、電磁材料(liao)(liao)(磁電阻器件、GMR薄膜(mo)、稀(xi)磁半(ban)導(dao)體、超導(dao)體材料(liao)(liao))的電(dian)阻率(lv)、載流子濃度(du)、磁致電(dian)阻率(lv)、霍(huo)爾系數、電(dian)子遷移率(lv)測量(liang)

 

u  主要(yao)參數

SPECIFICATIONS FOR THE VARIABLE TEMPERATURE HALL SYSTEM

Operating Temperature Range:

Available between 70K and 730K (Joule-Thomson Thermal Stage)

Dimensions of Vacuum Chamber:

2.5 in wide x 6.0 in long x 0.75 in high (at sample end)

Weight of the Vacuum Chamber:

16 oz (454 grams) with thermal stage mounted

Sample Mounting Surface Size:

10 mm x 12 mm

Standard Window Material:

Fused silica

Maximum Sample Weight Allowed:

No more than 5 grams

Working Distance:

12 mm

Dimension Configurations:

-Spring Loaded Probe spacing: 0.1 in, 0.2 in, 0.3 in (2.25 mm, 5 mm, 10.5 mm)

-Kapton Harness space: not applicable

Electrical Connections:

Triax connectors.

Current Source Range:

-12 to 0.01 Amps

Voltage Measurement Range:

-6 to 2.4 Volts

Resistance (or Resistivity) Range: **

Typical range is 10 -4 Ohm*cm to 10 13  Ohm*cm (dependent on sample thickness)

Carrier Concentration Range: **

Approximate range is 10 3 cm -3 to 10 19 cm -3(dependent on sample thickness )

Mobility Range: **

Approximate range is 1 cm2 /volt*sec to 107 cm2/volt*sec

Sample Thickness:

0.001-2000 micrometer

Temperature Accuracy:

< 0.5K at 80K;  + /- 0.5K between 80K and 400K; < 1.5K from 400K to 730K

Temperature Stability:

* /- 0.1K

Temperature Resolution:

0.01 K

 

 

 

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