產地類別 | 進口 |
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光彈調制器
美國(guo)Hinds Instruments, Inc公(gong)司(si)是世(shi)界(jie)著(zhu)名的(de)(de)(de)(de)(同(tong)時也是世(shi)界(jie)*的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)家)光(guang)(guang)彈調(diao)制器(photoelastic modulators)生產(chan)商(shang)。Hinds Instruments公(gong)司(si)的(de)(de)(de)(de)PEM可以控制光(guang)(guang)束(shu)的(de)(de)(de)(de)偏振(zhen)狀態的(de)(de)(de)(de)改變(bian),調(diao)制速率(lv)為20~100kHz。(PEM)的(de)(de)(de)(de)作用就像一(yi)(yi)個“動(dong)態的(de)(de)(de)(de)波片”,可以使(shi)快軸(zhou)和慢軸(zhou)之間產(chan)生一(yi)(yi)個周期(qi)變(bian)化(hua)的(de)(de)(de)(de)折(zhe)射率(lv)差,從而控制透過(guo)光(guang)(guang)束(shu)的(de)(de)(de)(de)偏振(zhen)進(jin)(jin)行(xing)周期(qi)性的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)。具體而言即,(photoelastic modulators)通(tong)過(guo)對線偏振(zhen)光(guang)(guang)添一(yi)(yi)定的(de)(de)(de)(de)相(xiang)位(wei)使(shi)輸出光(guang)(guang)在圓(yuan)偏振(zhen)、橢圓(yuan)偏振(zhen)、線偏振(zhen)等狀態之間井(jing)進(jin)(jin)行(xing)變(bian)化(hua),同(tong)時(PEM)還(huan)可以使(shi)光(guang)(guang)在左旋(xuan)、右旋(xuan)兩種狀態之間進(jin)(jin)行(xing)切換。
對比聲光(guang)調制器、電(dian)光(guang)調制器、液晶(jing)調制器的*之(zhi)處包括:
? 非常大通(tong)光孔(kong)徑(15到30mm,標準),同時保(bao)持很(hen)高的調制器頻率
? 超大(da)接受角度(市場角)范圍(+/- 20°)
? 波(bo)長覆蓋范圍大(170nm~10um,FIR~THZ)
? 高(gao)損傷閾值
? 可精確(que)控(kong)制相位延遲
美(mei)國Hinds Instruments, Inc公司PEM電(dian)學(xue)和光(guang)學(xue)頭封裝在(zai)不(bu)同的(de)部件中。這(zhe)樣能夠(gou)zui小化光(guang)學(xue)系(xi)統單(dan)元(yuan)的(de)尺寸,同樣也使(shi)得光(guang)學(xue)頭與磁場(chang)或真空兼(jian)容(當這(zhe)些有需要的(de)時候)。
需要進一步了解關于原理,請點擊這里
應用舉例:
在偏振方向(xiang)調(diao)制中的(de)應用介紹(shao).pdf
Hinds Instruments主要分為兩個系列:
Series I 系列使用矩形光學原件,波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。
Series II系(xi)列使用對稱(cheng)或者八角形(xing)的(de)光學原件(jian),波長覆蓋可(ke)見和紅外(wai)(到(dao)中紅外(wai))頻譜(pu)區域。特殊的(de)型(xing)號可(ke)用于(yu)紫外(wai)。
Hinds Instruments公司的(de)光(guang)學(xue)頭使用(yong)不(bu)同的(de)光(guang)學(xue)材料,材料的(de)選取(qu)主要取(qu)決于儀器頻譜透射率的(de)需要。表1列出了通常使用(yong)的(de)材料。
TABLE 1 |
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SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相(xiang)對(dui)于Series II八角(jiao)形光學元(yuan)件,Series I矩形的(de)光(guang)學(xue)元件在(zai)(zai)相同厚度的(de)情況(kuang)下,相位(wei)延遲量更少(shao)。在(zai)(zai)紅外波(bo)段(duan),這是一(yi)個缺(que)點,但是在(zai)(zai)紫外波(bo)段(duan),尤其(qi)是真空紫外,這則變成為了(le)一(yi)個很大優點。
八(ba)角形(Series II)光學元(yuan)件在(zai)給定的(de)厚度下(xia)更加(jia)的(de)有效率(lv),因(yin)此在(zai)紅(hong)外波段有更多的(de)優勢。使(shi)用(yong)Series II操作低延(yan)遲(chi)量(例如:深(shen)紫外)或許(xu)會(hui)造(zao)成(cheng)一(yi)些問題。
可選選項(xiang)(規格(ge)和價格(ge)會因為(wei)客戶需要而改(gai)變,詳(xiang)情詢問昊量光電的工(gong)程師(shi))
- ? 增(zeng)透膜(mo),Model ARC。防反射膜(mo)可用于任何光學(xue)調制器上,窄帶寬(kuan)和(he)寬(kuan)帶寬(kuan)鍍膜(mo)都可得。
- ? 請(qing)昊量光電關于頻譜范圍(wei)和透射率(lv)要求
- ? 無(wu)干(gan)涉選(xuan)項,Model NIO。這一項用于偏轉光束路徑(jing),因此消(xiao)除(chu)了調制器干(gan)涉
- ? 特(te)殊頻率,Model SFO。標準的調制(zhi)頭(tou)配以特(te)殊頻率
- ? 特殊光學頭/電學頭電纜,Model SLHH
- ? 特(te)(te)殊調(diao)制頭附件,Model SHE。光學頭可以根據客戶需要提供特(te)(te)殊形狀(zhuang)
- ? 真(zhen)空(kong)操作。PEM可(ke)用于真(zhen)空(kong)環境(jing),詳(xiang)情請詢問Hinds
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磁場(chang)兼(jian)容選(xuan)項,Model MFC。光(guang)學頭不含(han)任何磁鐵材(cai)料,用于強(qiang)磁場(chang)中
基本指標
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm
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II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
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