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高精度納米級壓電位移平臺“PIEZOCONCEPT”介紹

更新時間:2024-03-27 點擊次數:166

高精度納米級壓電位移平臺“PIEZOCONCEPT”!
--半導體界(jie)后摩爾時代的手術(shu)刀。

 

第三代半導(dao)體(ti)是后(hou)摩爾時代實(shi)現芯片(pian)性(xing)能突破的(de)(de)核心技(ji)術之一,優(you)越性(xing)能和(he)廣泛的(de)(de)下(xia)游應(ying)用使相關(guan)(guan)廠商存(cun)在(zai)良好發展(zhan)前景。隨著下(xia)游終端需求(qiu)改善,下(xia)游結構(gou)升級及國產替代是半導(dao)體(ti)界發展(zhan)的(de)(de)趨勢。然而運動控(kong)制核心部件對于眾多產業布局,往往起到了關(guan)(guan)鍵性(xing)作用;高精(jing)度納米(mi)級壓(ya)電(dian)位(wei)移平臺,仍然是眾多企(qi)業亟不可待的(de)(de)關(guan)(guan)鍵產品(pin)。

 

昊量(liang)光電推(tui)出“PIEZOCONCEPT”公司高精度(du)納米級壓電位移平臺系(xi)列產品,它的產品猶如一把手(shou)術刀(dao),具備(bei)精確、鋒利、專業、值得信(xin)任(ren)的特點(dian);它代表著高精度(du)、高穩定性(xing)、高響應(ying)速度(du)、高抗疲(pi)勞性(xing)。

 

下面對“PIEZOCONCEPT”產品進行詳細(xi)的介紹:

 

1.PIEZOCONCEPT單軸位移平(ping)臺


PIEZOCONCEPT單軸位(wei)移平(ping)臺(tai)(tai)產(chan)品(pin)是可以在(zai)單個維度上提供精(jing)確定位(wei)的產(chan)品(pin),主(zhu)要包含X軸壓(ya)電(dian)(dian)平(ping)臺(tai)(tai)、Z軸壓(ya)電(dian)(dian)平(ping)臺(tai)(tai)、物鏡(jing)掃描(miao)臺(tai)(tai)、快速反射(she)鏡(jing)。

 

X軸(zhou)產品圖片(pian)

 

Z軸產品圖片

 

 

一維(wei)掃描平臺

 

圖片4.png

一維快反鏡


2.PIEZOCONCEPT兩軸位移平臺

 

兩軸(zhou)壓(ya)電(dian)平臺可以提供兩個(ge)維度上的平移(yi)或偏轉(zhuan),主要包括XY二維壓(ya)電(dian)納米位移(yi)臺和(he)二維快反鏡。

 

XY軸壓電平(ping)臺


 

圖片6.png

二維快反鏡

 

3.PIEZOCONCEPT三軸位移平臺

 

XYZ軸壓(ya)電平臺

4. PIEZOCONCEPT位臺 du特優勢


昊量光電(dian)推出“PIEZOCONCEPT”高(gao)精度(du)單軸、雙軸、三(san)軸納(na)米(mi)級壓(ya)電(dian)位(wei)移臺、物鏡(jing)掃描臺、快反鏡(jing)系(xi)列產品;該壓(ya)電(dian)平臺以壓(ya)電(dian)陶(tao)瓷(ci)為(wei)驅動(dong),采用(yong)了柔(rou)性(xing)(xing)(xing)鉸鏈(lian)連接的方法,具備精確導向性(xing)(xing)(xing)、高(gao)穩定性(xing)(xing)(xing)、高(gao)抗疲勞性(xing)(xing)(xing)的特點,同(tong)時搭配高(gao)精度(du)硅基位(wei)移傳感(gan)器(qi)、16Bit高(gao)分辨率高(gao)速(su)(su)控制器(qi),具有高(gao)響應速(su)(su)度(du),亞納(na)米(mi)級的分辨率,超低(di)底(di)噪(10-50pm)和超高(gao)線(xian)性(xing)(xing)(xing)度(du)(0.02%),廣泛應用(yong)于(yu)高(gao)精密位(wei)移領域(yu),包括但不(bu)局限于(yu)半(ban)導體領域(yu)。

 

功能的du優勢包括:

亞微(wei)米級別(bie)的(de)重(zhong)復定位精度

穩(wen)定(ding)性遠(yuan)遠(yuan)優于同類(lei)產(chan)品(pin)

0-1500微(wei)米(mi)級的移動范圍

 

傳(chuan)統壓(ya)電位移(yi)臺的特(te)點

PIEZOCONCEPT壓(ya)電位移臺優(you)勢

-分(fen)辨率的局(ju)限

高分辨率:0.005nm/urad(Max)

-有限的運(yun)動軌跡范圍,平均0-300um移動范圍

0-1500um移動(dong)范圍

-較低(di)線性度

超高線(xian)性度(du)(0.02%)

-位(wei)移傳感(gan)器存在(zai)差異(以電容傳感(gan)器為(wei)主(zhu)),鉸鏈存在(zai)無(wu)效運動

采用高精度(du)硅基(ji)位移(yi)傳感器與柔性鉸鏈具備高(gao)可(ke)靠、長壽命

 

-較(jiao)高的(de)底噪

 

 

超(chao)低底噪(10-50pm)

 

-速度的(de)局(ju)限

 

超高速:諧振頻率7000Hz(Max)

 

 

5.PIEZOCONCEPT使用什么類型的傳感(gan)器?為什么它優于其他(ta)傳感(gan)器技術?

 

PIEZOCONCEPT使(shi)用單(dan)晶硅傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi),稱為硅基位移傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)。盡管它(ta)是應(ying)變傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)大家族的一部分(fen),但它(ta)優于(yu)其他兩種常用傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)(電容式傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)和金屬應(ying)變傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi))。這兩種傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)與PIEZOCONCEPT單(dan)晶硅傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)相比都有明(ming)顯的缺點。

 

電容(rong)式傳感器(qi)與PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器(qi)相比,對以(yi)下方面很敏(min)感:

•氣壓(ya)變化(hua):空氣的介電常(chang)數取決于(yu)氣壓(ya)。測量將(jiang)受到任何壓(ya)力變化(hua)的影響。

•溫(wen)度變化(hua):空(kong)氣的介電常數也會隨溫(wen)度變化(hua)。

•污染物的存在(zai)。

 

以(yi)上所有這些都會導致納米級的(de)一些不(bu)穩定性,即使(shi)(shi)可(ke)以(yi)對空氣(qi)壓力(li)和溫度(du)(du)進行校正(zheng)(zheng),也不(bu)可(ke)能校正(zheng)(zheng)其它(ta)因素(污染物(wu)、排(pai)氣(qi))的(de)影(ying)響。這解釋了電(dian)容(rong)式(shi)傳(chuan)感器(qi)在真空環境(jing)中性能不(bu)佳的(de)原(yuan)因。此外(wai),電(dian)容(rong)傳(chuan)感器(qi)非常昂貴(gui)和笨重(zhong)。硅HR傳(chuan)感器(qi)技術是一種(zhong)固態技術,它(ta)的(de)電(dian)阻不(bu)依賴于(yu)空氣(qi)壓力(li)或污染物(wu)的(de)存在。其次,雖然溫度(du)(du)變化對測量有影(ying)響(主要是因為材(cai)料的(de)熱膨(peng)脹),但這可(ke)以(yi)通過使(shi)(shi)用傳(chuan)感器(qi)陣列進行校正(zheng)(zheng)。基(ji)本上,PIEZOCONCEPT在每個(ge)軸(zhou)上使(shi)(shi)用兩(liang)個(ge)平行的(de)硅傳(chuan)感器(qi),一個(ge)用于(yu)測量,另一個(ge)用于(yu)考慮溫度(du)(du)變化引起(qi)的(de)材(cai)料膨(peng)脹。

 

6.金屬應變傳(chuan)感器與PIEZOCONCEPT硅基位移傳(chuan)感器的(de)比較。

 

金屬應變傳感器和PIEZOCONCEPT硅基位移傳感(gan)器之(zhi)間的差異更大。

 

第1個(ge)區別是應變(bian)系數(shu):半(ban)導(dao)體應變(bian)傳(chuan)(chuan)感(gan)器(硅基位移(yi)傳(chuan)(chuan)感(gan)器)的(de)應變(bian)系數(shu)大(da)約是金(jin)屬(shu)應變(bian)傳(chuan)(chuan)感(gan)器的(de)100倍。更高(gao)的(de)應變(bian)系數(shu)導(dao)致(zhi)更高(gao)的(de)信噪(zao)比,zui終導(dao)致(zhi)更高(gao)穩定性。

 

第(di)2個(ge)區別是(shi)金(jin)屬應變傳(chuan)感器(qi)不能直(zhi)接安(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)撓(nao)曲裝(zhuang)(zhuang)置上(也(ye)就是(shi)實現運動(dong)的地方):金(jin)屬應變傳(chuan)感器(qi)必須安(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)某(mou)種“背襯”上,這(zhe)就導(dao)致(zhi)了壓(ya)電(dian)致(zhi)動(dong)器(qi)存在(zai)蠕變或滯后現象。由于壓(ya)電(dian)致(zhi)動(dong)器(qi)的膨脹不均(jun)勻(yun),因此僅(jin)測(ce)量致(zhi)動(dong)器(qi)的一部分伸長(chang)率無法精確推導(dao)其完(wan)整伸長(chang)率。硅基位移傳(chuan)感器(qi)是(shi)通過(guo)對撓(nao)曲本(ben)身進行測(ce)量,不存在(zai)這(zhe)種“不均(jun)勻(yun)性”問題。

 

綜(zong)上(shang)所述,硅基位移傳(chuan)感(gan)器在環境背景中優于電容式傳(chuan)感(gan)器,在信噪比和穩定性方面(mian)優于金屬應變傳(chuan)感(gan)器。

 

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